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(資料圖)

Neo Semiconductor 宣布了世界上第一個稱為 3D X-DRAM 的 3D 可堆疊 DRAM 技術，它可以徹底改變我們今天所知的內存行業(yè)。Neo 估計其 3D X-DRAM 技術可以達到 128Gb 的密度，這是當今采用DDR5技術的最佳解決方案的 8 倍。

硅的 3D 堆疊已經存在了幾年。您可能已經在 AMD最新的采用3D V-Cache技術的Ryzen CPU中看到了它，但是，這是第一次將 3D 堆疊技術引入計算機系統(tǒng)內存(即 DDR4 和 DDR5)。與當前的 2D 解決方案相比，3D-XDRAM 允許 DRAM 模塊垂直(3D)堆疊在彼此之上，以提高密度和整體內存容量。Neo 的新 3D X-DRAM 技術使用了一種類似于 3D NAND 的 DRAM 單元陣列結構。據報道，它制造成本低廉且易于生產，但與當今的 DRAM 設計相比，其內存容量大得多。

我們不知道帶有 3D X-DRAM 的 DRAM 模塊到底有多快或多大，但該技術對整個計算行業(yè)具有巨大影響，特別是在高端服務器市場，大塊內存(超過1TB)需要運行復雜的工作負載，如模擬和機器學習。根據 Neo 的分析，我們可以在未來使用 3D X-DRAM 擁有容量為 4TB 至 8TB 的單個內存 DIMM，考慮到目前使用整排 DIMM 的大多數服務器最大容量為 8TB，這是一個驚人的容量。

Neo 表示，由于其令人印象深刻的功能，整個半導體行業(yè)正在轉向系統(tǒng)內存的 3D 堆疊技術。據報道，3D 堆疊將使該行業(yè)繞過數十年來圍繞 DRAM 密度的成本和產量延遲，以及不可避免的制造中斷。Neo 預計3D X-DRAM 的發(fā)展將在未來 15 年內飛速發(fā)展，從 2024 年到 2030 年代中期，密度從 128Gb 一直線性增加到 1Tb。