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中證網(wǎng)訊（記者 趙若帆）英飛凌科技股份公司（后稱“英飛凌”）5月3日官網(wǎng)發(fā)布消息，公司與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“天科合達”）簽訂了一份長期供貨協(xié)議，天科合達將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來長期預(yù)測需求的兩位數(shù)份額。

英飛凌是國際著名的半導(dǎo)體公司，在功率半導(dǎo)體市場占有率國際第一。此前，英飛凌公司曾制定遠景目標，表示將在2030年達成30%全球SiC市場份額。

眾多機構(gòu)投資的天科合達是具有深厚的中科院背景和國資背景的高科技企業(yè)，股東包括深創(chuàng)投、中科創(chuàng)星、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時代、潤科基金等。公司成立于2006年，成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所，主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來源于新疆天富集團。在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域，天科合達占據(jù)國內(nèi)一半以上的市場份額，2021年國際市場占有率排名第四，在產(chǎn)品良率方面也處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

中科院物理研究所碳化硅團隊負責人、天科合達首席科學(xué)家陳小龍研究員表示，碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料，應(yīng)用前景廣闊，大大助力于“雙碳”戰(zhàn)略的實施。目前物理所研發(fā)團隊還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長技術(shù)，希望在基礎(chǔ)研究上跟進一步，為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

對于本次雙方簽約，陳小龍表示，國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約，一直是普遍的做法，英飛凌鎖定天科合達的部分產(chǎn)能，既有利于推動天科合達技術(shù)進步，也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng)，是一個雙贏的選擇。